Propriété du Carbure de Silicium

Table des matières

INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE 1
1. Introduction
2. Historique sur le Carbure de Silicium
3. Propriété du Carbure de Silicium
3.1. Propriétés cristallographiques
3.1.2. Liaison Si-C
3.1.2. Notion de Polytypisme
3.1.3 Facteurs de Mérite …
3.2. Structure de bande et zone de Brillouin
4. La fabrication du Carbure de Silicium
Références
CHAPITRE 2
1. Introduction
2. Mode de fonctionnement
2.1. Structure
2.2. Principe
2.3. Régimes de fonctionnement et caractéristiques
3. Les MESFETs en Carbure de Silicium
3.1. Description
3.2. Structure et caractéristiques
4. Le transport électronique dans le SiC-MESFET
Références
CHAPITRE 3
1. Introduction
2. Transport de charge dans les semiconducteurs
2.1. Fonction de Bloch
2.2. Modèle de bandes paraboliques
2.3. Modèle de bandes non-paraboliques
2.4. L’équation de Boltzmann
2.4.1. Modèle mathématique
2.4.2. La mobilité et l’équation de Boltzmann
3. Transport de charges dans les dispositifs semiconducteurs
Références
CHAPITRE 4
1. Introduction
2. Description de la méthode de Monte Carlo
3. Démarches d’implémentation de la méthode
3.1. Création du vol libre
3.2. Technique Self Scattering
3.3. Sélection des interactions et calcul de l’angle de déviation
3.4. Formulation des interactions
4. Applications : Simulation du transport électronique dans les substrats semiconducteurs
4.1. Exemple de simulation du Transport électronique dans le GaSb : Régime stationnaire et non-stationnaire
4.1.1. Vitesse de dérive
4.1.2. Distribution de l’énergie et du potentiel électrostatique
4.1.3. Transport en régime non-stationnaire
4.2. Transport électronique dans le Carbure de silicium
4.2.1. Fonction de distribution des électrons
4.2.2. Distribution de l’énergie moyenne
4.2.3. Vitesse de dérive
4.2.4. Transport électronique transitoire sous l’effet de forts champs électriques
4.2.5. Effet de la température sur les caractéristiques de transport
Références
CHAPITRE 5
1. Introduction
2. Effet de la miniaturisation sur la simulation des dispositifs
3. Equations de transport pour la simulation du Transistor MESFET
4. Démarches de Simulation du Transistor MESFET par la méthode de Monte Carlo
4.1. Condition aux limites
4.2. Maillage des particules et calcul du potentiel
5. Présentation du simulator Monte Carlo
5.1. Description
5.2. Organigramme de simulation
6. Applications : Simulation du MESFET submicronique
6.1. Exemple d’un MESFET à base de matériaux III-V
6.1.1. MESFET en GaSb
6.1.2. MESFET à base du Al0.23In0.78Sb
6.2. Simulation du MESFET latéral à base du 4H-SiC
6.2.1. Effet de la température sur les caractéristiques de transport électronique du 4H-SiC-MESFET
6.2.2. Caractéristique I(V)
Références
CONCLUSION GENERALE & PERSPECTIVES
ANNEXE
PUBLICATIONS SCIENTIFIQUES